კვლევიდან — სამრეწველო გადაწყვეტამდე

მუშავდება 2–10 ფენის კონტროლირებადი აწყობის პროტოკოლები მაღალი კრისტალურობისა და ვაკანსიების მინიმალური კონცენტრაციის შენარჩუნებით. ფენებს შორის ურთიერთქმედების ოპტიმიზაციითა და N, S, P ჰეტეროატომებით დოპირებით მიიღწევა ორმაგი ელექტრული ფენის — EDLC — და ფსევდოტევადობის სინერგია.

ლაბორატორიული ნიმუშები აჩვენებს სპეციფიკურ ტევადობას >300 F/g, დაბალ ეკვივალენტურ მიმდევრობით წინააღმდეგობას ESR <0.1 Ω·cm² და მდგრადობას >10 000 ციკლი 10 A/g-მდე დენის სიმკვრივეზე.

მექანიზმი ეფუძნება მოლეკულური საცრის პრინციპს. 0.3–0.5 ნმ ზუსტი დიამეტრის ფორები იქმნება კონტროლირებადი დაჟანგვით, ფენათაშორისი ფუნქციონალიზაციითა და ვან-დერ-ვაალსის ნაპრალის ზუსტი კონტროლით.

წყლის მოლეკულები ფორებში გადის, ხოლო Na⁺, Cl⁻ და სხვა დამაბინძურებლები ჰიდრატირებული რადიუსისა და ნანოარხებში ელექტროსტატიკური ეკრანირების გამო ჩერდება. კლასიკურ უკუოსმოსთან შედარებით ენერგომოხმარება 40–60%-ით მცირდება.

თეგ-პრეკურსორის საფუძველზე სინთეზდება სამგანზომილებიანი იერარქიული ნახშირბადის ქსოვილი კონტროლირებადი მეზოფორიანობითა და მაღალი ელექტროგამტარობით — >1000 S/m. მასალა აერთიანებს მოქნილობას, ქიმიურ ინერტულობასა და განვითარებულ ზედაპირს.

ნიმუშები გადის მოხრის >50 000 ციკლს, R <5%, მდგრადია კოროზიის მიმართ და ინტეგრირდება მყარ/გელის ელექტროლიტებთან ტარებადი ენერგოდამოუკიდებელი მოწყობილობებისთვის.